技术分享 | 通信激光器及其调制技术研究进展

摘要

      在光通信领域,激光器及其调制带宽、调制速率对无线光通信至关重要。对半导体激光器信号的调制方式主要有内调制和外调制两种。这两种调制技术具有各自的特点,适用于光纤通信中的不同领域,都是当前重要的研究热点。内调制激光 器又称为直接调制激光器,因其具有高速传输以及低成本的特点,成为目前应用在第五代移动通信技术(5G)前传和数据中心 中的高性价比光源。而外调制激光器不存在光源附加的 Chirp,所以可以有效地克服光纤色散造成的复合二次差拍(CSB)失真。文章在回顾通信激光器及其调制技术发展历程的基础上,介绍了西安理工大学在该领域所做的工作以及取得的主要进 展。针对半导体激光器发生非线性失真的内外因素进行讨论,仿真响应特性各参数、线性化补偿方法以及功率控制系统对光 发射器件输出光源的作用,并分析了温度的起伏对激光器和调制器件输出功率产生的影响。采用折射率椭球基本理论和数 值分析,分别在纵向和横向调制下,讨论出射光强随温度的变化趋势。结果表明,纵向调制下出射光光强随温度的变化趋势 只与铌酸锂(LN)晶体折射率的变化有关;横向调制下出射光光强随温度的变化趋势不仅要受到晶体折射率的影响,还要受到 晶体尺寸及其膨胀系数的影响,因此可以利用特殊尺寸的晶体来提高电光调制器的温度稳定性。

0 引言

      无线光通信是一项以激光作为载体传递信息的 技术,这种新型的通信方式具有传输容量大、架设方 式灵活、抗电磁干扰和保密性强等优势。

      激 光 器 是 无 线 光 通 信 技 术 中 重 要 的 光 发 射 器 件,激光由于自身良好的单色性、方向性和相干性,是系统发射光源的理想选择,可作为光通信的载波 使用。调制是信号的转化过程,经过调制,使光信号 中携带信源信号的有关信息转变为便于在信道中传 输的形式。研究如何寻求高功率光源以及高码率的调制技术是人们不断努力的发展方向。

1 通信激光器研究进展与现状

      1962年,第1代半导体激光器,又名激光二极管(LaserDiode,LD),在美国研制成功。1978年,半导体激光器用于光纤通信系统,由于光纤通信要求激光器具有更低的阈值、更好的动态单纵模、更高的调制速率以及更高的可靠性,开始相继出现高频响应特性与稳定性好的激光器,如法布里-泊罗(Fabry-Perot,FP)-LD、分布式反馈(Distributed Feedback,DFB)-LD和垂直腔面发射激光器(Ver-ticalCavitySurfaceEmittingLaser,VCSEL),其光源性质对比如表1所示。

表1 光通信中常用的通信光源性质的比较

      早期的 FP-LD 因为多纵模而无法满足单模光纤通信系统的需求,为解决这一问题,把布拉格光栅 运用到有源 区 中,半 导 体 DFB-LD 诞 生。1979 年, 日本的 Soda等人首先提出了 VCSEL 的概念,一般结构体系是上、下分布式布拉格反射(Distributed BraggReflector,DBR)结构做发射腔以及中间的增 益区;1989年,VCSEL 器件成功实现了850nm 波 段室温下的连续激射,这是走向实用化的关键一 步;1996 年,Lear等 人 提 出 了 氧 化 物 限 制 型 VC-SEL,限制光场和降低阈值的特点使此结构能更好 地应用到光通信中。

      VCSEL的优势是,基于 DBR 结构,保证了动态 的单模工作、增益区的体积小、阈值电流较低、光纤耦合效率极高以及出射高斯光束为无像散。对于中低速数据通信网络,850nm VCSEL成本低,管芯的 光有源腔短,调制速率就会高,是短距离数据通信的主流。在之后的研究中,对主要参数的要求是尽可能高的调制速度,并降低干扰,以满足大容量通信的需求。

      2008年,美 国 Finisar公 司 在 有 源 区 采 用 非 应 变砷化镓 量 子 阱,以 不 归 零 (NonReturntoZero,NRZ)调制格式成功制备了短波通信 VCSEL,室温 时速率为30Gbit/s;2015年,美国国际商业机器公司(InternationlBusinessMachinesCorporation,IBM)与瑞典查尔莫斯科技大学(ChalmersUniver-sityofTechnology,CUT)协 作,集 成 驱 动 电 路、退耦电容和 VCSEL,并引入均衡技术,在25℃时无误 码 数 据 传 输 速 率 为 71 Gbit/s,90 ℃ 时 为50Gbit/s;2015年之后,调制速率越来越高,调制带宽也 不 断 增 大,结 合 多 波 长 或 复 杂 调 制 应 用 于 100、200 和 400 Gbit/s;2020 年,Lavrencik 等 在 系统中用前 向 纠 错 和 接 收 器 均 衡 器 来 提 高 数 据 速 率,实验证明 4 电平脉冲幅度调制 (4PulseAmpli-tude Modulation, PAM4)数 据 速 率 超 过了160Gbit/s;2021年,Zuo等 人 在 数 字 信 号 处 理中结合 非 线 性 均 衡 器 以 及 噪 声 消 除 算 法,缓 解 了 PAM4 带 来 的 符 号 间 干 扰 与 非 线 性 因 素,展 示 了 VCSEL在100m 光模式(OpticalMode,OM)4 多 模光纤上的传输速率可达200Gbit/s。

      由于短波光通信信息传输距离被模态色散限制 在数百米,之后对于 研 究 高 速 VCSEL 需 要 向 损 耗 更小的长波段方向发展,比如 1310~1550nm 波 段的系统,有机 会 将 通 信 距 离 延 伸 至 20km 以 上。目前长波段的研究多在于器件结构的优化,主要是 高折射率和高热导率的 DBR 制备、有效电流限制结 构的形成以及热问题的解决。2022年,张建伟等采 用高增益发光区量子阱与隧穿结台面结构,首次在 国内 实 现 了1550nm波 段 mW 量 级 的 输 出 光 功 率;2022年,韩赛一课题组与 Babichev团队合作对1550nm VCSEL进行器件结构的优化,主要使 用 晶 圆 熔 合 技 术,常 温 下 NRZ 调 制 速 率 为37Gbit/s。表2所示为激光器国内外研究进展。

表2 激光器国内外研究进展

2 调制技术研究进展与现状

      本 文 将 调 制 技 术 分 为 内 调 制 与 外 调 制 展 开 讨 论,选择高效、可靠的调制技术是高传输速率和低误 码率(BitErrorRatio,BER)的保证。由表 3 可知,外调制更适用于高速传输系统(>10Gbit/s)。 

表3 内调制与外调制区别

      注:MQU 为多 量 子 阱,MQU-DFB 为 多 量 子 阱 分 布 式 反馈激光器;EA 为电吸收调制器;MZM 为马赫曾德尔调制 器;I为电流;v为电压。

2.1内调制

        内调制也叫做直接调制,它利用调制信号的规律改变激光振荡的参数,以达到改变激光输出的特 性。直接调制激光器 (Directly ModulatedLaser,DML)具备低强度噪声和高线性的优势,是 通 信 系 统中较为关键的光源,研究如何更进一步提高其调 制带宽一直是科研人员努力的方向。

      20世纪90年代开始,对于高速 DML的优化集 中在有源增益区 的 材 料 体 系 与 结 构 设 计。1992年,贝尔实验室采用 MQU 型的有源增益层,并在结 构中引入应 变,有 效 提 高 了 微 分 增 益,调 制 带 宽 达25GHz;1997 年,Matsui等 人 认 识 到 量 子 阱 的 个数会影响激 光 器 出 光 功 率,设 计 了 20 对 量 子 阱 DFB 激 光 器,带 宽 提 升 到 30 GHz;之 后 德 国 Fraunfofer研究所采用4个应变量子阱结构的 P掺 杂激光器,选择性掺杂能够增大量子阱中粒子数反 转效率,使得调制带宽达到37GHz。

      随着对短距离通信系统的通信速率需求的进一 步提升,开始考虑减小有源区体积来进一步提升带 宽。可 以 使 用 掩 埋 异 质 (Buried Heterostructure,BH)结构来降低宽度,也可以在增益区一侧或两侧 集成无源分布反馈布拉格反射镜或有源布拉格反射 镜。2014年,Nakahara等人应用BH 结构且增益区 材料为 AlGaInAs的 DFB激光器,此结构下的激光 器阈值电流更低,调制带宽更高,演示了在80 ℃时 NRZ编 码 下 速 率 超 过 50 Gbit/s 的 信 号 调 制 过 程;2018年,华中科技大学刘功海等人采用集成 有 源 分 布 反 射 器 (Active Distributed Reflector,ADR)制作出150μm 腔长的激光器,实现了10km 28Gbit/s的通信传输实验;2019年,Sasada等人 在有源区用 AlGaInAs材料且掺入 Zn杂质,AlGaI-nAs材料温度特性好且微分增益高,经实验得到在 25 ℃下带宽达34.2GHz的1.3μm 直接调制激光器,80 ℃时带宽也能达到23.9GHz。
      有源区的优化使3dB 带宽提升至约30dB,但 此后再无重大进展。为了打破带宽限制,提出了器 件内部利用光反馈带来的光子—光子共振(Photon-PhotonResonance,PPR)效应,即在激光器的驰豫振荡高频处引入一个响应峰,从 而 拓 宽 其 带 宽。2017 年,Finisar 公 司 通 过 分 布 反 射 (Distributed Reflector,DR)结 构 实 现 PPR 效 应 取 得 了55GHz 的3dB带宽,并且112Gbit/s速率 PAM4信号调制 也通过验证;2021年,Yamaoka等人所使用的仪 器在95GHz附近发生 PPR 效应,得到了108GHz 的3dB带宽和256Gbit/s的PAM4信号,并在2km范围内进行了数据传输。PPR 效应是大幅提高 DML带宽的 重 要 手 段,但 是 只 有 带 有 外 腔 反 馈 的 DML可以应用。有源区特性是关乎激光器调制带宽的重要因素,很大一部分与驰豫振荡频率有关,对 于激光器的 寄 生 参 量 以 及 发 热 问 题 等 非 有 源 区 因 素,对带宽也有一定影响。表4所示为内调制技 术国内外研究进展。

表4 内调制技术国内外研究进展

2.2外调制

      外调制是指激光产生后,将调制器置于激光器的外部光路上,用调制信号来改变调制器的物理特 性,当激光通过调制器时,光波的某参量受到调制而 改变。为了解决 DML直接调制时出现的驰豫振荡 和频率啁啾 等 问 题,开 始 研 究 外 调 制 技 术,包 括 电 光、声光和磁光调制。而电光调制器满足光信息互 连传输的要 求,向 高 速 率、低 功 耗 和 小 体 积 不 断 发 展。

      1970年,国外开始研究高速LiNbO3电光调制器。电极结构由早期的集总结构向行波电极结构过 渡,新型结构不再受外电路的电阻电容(Resistance Capacitance,RC)时 间 常 数 的 影 响,有 望 制 造 上 百 GHz带宽的调制器。1994年,王卫东等人制成了行 波电极的 Ti:LiNbO3电光调制器,它是国内最早报道的采用新型电极结构的外调制器,3dB 调制带宽 可达8GHz;2001年,张兵等人采用 T 型复合电 极 结 构 做 出 的 Ti:LiNbO3 调 制 器,带 宽 增 加 到 40GHz,这项研究成果是当时国内最好的;2005年,高致慧等人提出了脊波导 与 T 型 电 极 相 结 合, 成功设计出了带宽为153GHz的调制器例子,其 在特征阻抗较大的同时还能降低损耗。

      为了得到更小的半波电压,减小器件功耗,人们 希望通过 进 一 步 提 高 单 晶 薄 膜 铌 酸 锂 (Thin-Film Lithium Niobate,TFLN)的材料和加工工艺,实现 “高折射率反差”光波导。2018 年,Wang等人报道了基于干法刻蚀工艺单晶集成的总长1~2cm的TFLN 调制器,半波电压低至1.4V,片内光损耗小 于0.5dB,数据传输速率高达210Gbit/s。为达到更低功耗和更高传输数据的光通信与光互连,硅 基光电集成迅速发展。2019年,He等人紧跟发展完成了创新性的“硅与铌酸锂(Lithium Niobate,LN)异质集 成 电 光 调 制 芯 片”研 究,保 留 了 硅 基 和 LN 材料的各自优势,得到的调制带宽超过70GHz, 并且还展示 了 112Gbit/s的 超 高 数 据 调 制 速 率 和 170fJ/bit的 低 功 率 消 耗;2021年,Kharel等人在之前研究基础上,采用容性加载行波电极,在石英 衬底的 TFLN 平台上实现了微 波 损 耗 降 低 约 为 之 前1/3的高性能调制器,再次打破了 TFLN 带宽— 电压的上限;2022年,杨帆等基于光刻和湿法腐 蚀,高质量波导和行波电极,进行了3dB带宽超过 110GHz的 TFLN MZM,实现了高达250Gbit/s的 PAM6和200Gbit/s的 PAM4。TFLN 材 料 不 但保留了传统 LN 材料的所有优点,而且可以克服其所有的缺点。

      为深入发掘光纤通信的带宽潜能,进一步增强 光通信的传输能力,除了可以进行光的幅度调制之外,还能够实现频率和相位调制,比如相移键控 (PhaseShiftKeying,PSK)、正交相移键控(Quad-raturePhaseShiftKeying,QPSK)以及正交振幅调制(QuadratureAmplitude Modulation,QAM)等。2020年,徐梦玥等人在TFLN材料中率先完成了高性能的同向正交 (In-PhaseQuadrature-Phase,IQ)调制器芯片设 计,其IQ调制器达成了有史以来最低的插入损耗,同时他们还演示了在超高速率下如何生成高阶相干调制信号,包括110Gbaud的QPSK(220Gbit/s)和80Gbaud的16QAM (320Gbit/s);2021年,Fujitsu公司推出的TFLN调制器聚焦130Gbuad相干驱动模块,实现 了调制损耗低、封装尺寸小和带宽 可达到65GHz,对比磷化铟(InP)调制器,TFLN 调制器工作带宽更 宽,温度敏感性低,通常支持 C 波段内宽带工作,且可以免除制冷器,从而降低了成本和尺寸;2022年,Xu等人在TFLN平台首次实现了面向相干光通信的双偏振IQ调制器,该调制器实现了互补金属氧化物半导体 (Complementary MetalOxideSemi-conductor,CMOS)兼容的驱动电压和高达110GHz 的电光带宽,得益于器件优异的带宽—电压表现,在电功耗仅1.04fJ/bit时,实现了单载波1.96Tbit/s 的净比特速率。表5所示为外调制技术国内外研究进展。

表5 外调制技术国内外研究进展

3 西安理工大学激光器研究进展

      自2000年以来,西安理工大学在无线激光通信 系统中的编解码、无线光副载波调制、光学收发系统 的设计、捕获与对准跟踪技术、光正交频分复用调制和光多输入多输出系统研究等光通信应用领域开展了广泛的基础理论研究和实践验证,取得了佳绩。2011年,陈丹和柯熙政等设计出了四进制频移键控(4FrequencyShiftKeying,4FSK)和16PSK 这两种调制方式的无线光通信系统硬件,并成功展开了短距离无线光副载波调制实 验;2016年,完成并开发了基于直接调制强度检测的调制和探测方式的自由空间光(FreeSpaceOptical,FSO)通信系统终端,能够安全传输双工数据、语音和图像。

3.1 激光器响应特性分析

      通信系统性能的优劣决定于半导体激光器的响应特性,一般需要借助于速率方程讨论,响应特性包 括调制响应特性、脉冲响应特性和直流特性。

3.1.1 调制响应特性分析

      调制响应特性可由频域直接反应激光器的高速特性,与驰豫振荡频率f0 密切相关。所谓的驰豫振 荡现象导致激光器输出的并不是一个平滑的脉冲, 而是一系列短脉冲序列,输出光功率以及载流子浓 度也因此会经历从非稳态到稳态这一过程。

       在小信号调制下,可以得到驰豫振荡频率f0为 

      式中:a_g为微分增益系数;S₀为稳态光子密度;τp为光子寿命;ε为增益饱和因子。由式(1)可知,增大 a_g和S₀、降低τp 以及减小ε,就可以实现f0的增加。接下来我们仿真模型验证相关性。

      我们分别改变驰豫振荡的相关参数并观察对调 制响应特性的影响。由图1可知,仿真结果与理论 式(1)所得出的结论相同。

图1 驰豫振荡不同参数影响下的频率响应曲线

      调制响应特性不仅与激光器内部驰豫振荡参数 有关,还与外部寄生参量有关。图2所示为双异质 结构 (Double Heterostructure,DH)-LD 受 不 同 寄 生参量影响的频率响应曲线,为了实现高频响应,可以通过改变激光器的封装类型合理调控寄生参量的值,设法减小串联电阻和并联电容。

图2 DH-LD 受不同寄生参量影响的 频率响应曲线

3.1.2 脉冲响应特性分析

      脉 冲 响 应 在 到 达 稳 态 前 也 会 出 现 驰 豫 振 荡 现象,接下来利用 Pspice瞬态分析,经仿真验证可知, 时域与频域趋势相同,如图3所示。I0、ag 增大,ε、R 减小,会增大驰豫振荡频率f0,振荡的过程缩短,使 得波形畸变得到明显改善。

图3 驰豫振荡不同参数影响下的脉冲响应曲线

3.1.3 直流特性分析

      半导体激光器是温敏器件,由图4和图5可知,DH-LD 的功率-电流 (P-I)特性会受到温度的干扰,LD 阈值电流会因温度的上升而增加,外微分量子效率即斜率也因此而下降。应用时可考虑从外部电路的角度改进 LD调制输出特性,并积极采用负反馈和温度控制等补偿方式。

3.2 直流特性分析

      研究激光器的非线性特性及其非线性失真补偿方法可以有效改善激光器产生的非线性,常用补偿方法有光(电)负反馈、正反馈和预失真等。我们采用无线光多路副载波二进制相移键控(BinaryPhaseShiftKeying,BPSK)调制探讨了调制指数和非线性系数与载波互调噪声 比(Carrier SignaltoIntermodulationDistortionandNoiseRa-tion,CINR)的关系,并讨论如何选取调制指数和非线性系数来降低非线性互调失真对CINR和BER带来的不良干扰。

图6 湍流下的 CINR 研究

      由图6可知,在同一湍流条件下,调制指数越靠近最佳值,CINR 值越大。当闪烁指数(ScintillationIndex,SI)增大时,最优调制指数选择要更小,可得 到最大的 CINR。由图7和图8可知,随着载波个数 N 的提高, CINR 减小;湍 流 强 度 相 同 时,非 线 性 系 数 越 大, CINR 也就越小。

 

     之后的研究中,我们采用 Volterra级数分析法 描述激光器 的 静 态 非 线 性 对 非 限 幅 QPSK 类 正 弦 调制 方 式 带 来 的 影 响。通 过 仿 真,得 到 非 限 幅QPSK 类正弦调制信号在预失真补偿前后的时域波 形、频谱、功率谱及星座图,如图9~12所示。

3.3  ATC和 APC模块设计与验证

      西安理工大学采用光电反馈原理，设计由自动功率控制(AutomaticPowerControl,APC)与自动温度控制（AutomaticTemperatureControl,ATC）构成的半导体激光器功率控制系统来保证光发射机提供稳定可靠光源。

图13所示为系统总体框图。

      我们对 APC 电路进行实验验证,由图14可知 APC电路的可行性与有效性。电路开环情况下,输出光功率的波动范围大,功率稳定度为4.1%;电路 闭环情况下,输出光功率经计算稳定度仅0.83%。

      接下来 对 APC 和 ATC 电 路 同 时 工 作 时 输 出功率 随 工 作 时 间 的 波 动 进 行 仿 真,如 图 15 所 示。ATC电路经计算稳定度优于0.74%,此刻 ATC 电 路为 LD 提供 稳 定 环 境 温 度,可 以 使 LD 工 作 时 的 环境温度保持在27 ℃附近,如图16所示,稳定度优于0.74%。

4 西安理工大学调制技术研究进展

4.1 调制实验的进展分析

      西安理工大学在对比前3代大气激光通信机的基础上,开展了高速内调制系统方面的研究。图17 所示为内调制电路结构框图,完成电路的性能验证 后,再对整个通信系统进行调试,可以实现调试速率 达100MHz的通信要求,目前还有很大的发展空间。

      在内调制的基础上,开展了如图18所示的电光调制实验。激光器发出的光经起偏器,激光变成线 偏振光,光垂直入射到施加了外加电场的 LN 电光 晶体上,折射率以及光波的偏振态发生改变,以椭圆 偏振光输出,通过调制器驱动源产生的直流偏置或 出射光经过1/4波片,均能使电光调制器工作在线 性区域。椭圆偏振光经检偏器,又以线偏振光输出,光强被调制,最后光电探测器接收调制后的光信号, 经光/电转换后由示波器观察。

4.2 温度对调制系统的影响分析

      根据折射率椭球理论,我们探究了 LN 电光晶 体折射率、输出光强度以及光调制器透射率与温度 之间的联系。

4.2.1 温度对 LN 电光晶体折射率的影响

      LN 电光晶 体 对 外 界 温 度 变 化 较 为 敏 感,影 响最大的是 LN 电 光 晶 体 的 折 射 率。我 们 验 证 了温度对 LN 电光晶体折射率的影响,由图 19 可知,环境温度 T 的变化对e光折射率的影响更大。

4.2.2 温度对电光调制器输出光强度的影响

      电光调制器根据外加电场方向与光波传播方向平行还是垂直,分为纵向电光调制和横向电光调制。我们在输入光强度、外加电压以及光波长都给定的情形下,由图20可知,纵向电光调制时,输出光强度 随着温度的增加而线性增加,与晶体折射率的改变 有关。

      横向电光调制下,输出光强随温度的变化与多 种因素有关,如晶体折射率以及线膨胀系数、晶体初 始长度L0 和晶体初始厚度d0,仿真验证如图21所 示,横向电光调制降低半波电压可以通过减小调制 器件的厚度或增加其长度实现,更灵活但加工的要 求比较高。

4.2.3温度对光调制器透射率的影响 

      温度对光调制器透射率的影响本质就是温度对光的延迟量的影响。横向电光调制时,晶体延迟量 受多种因素影响。由式(2)可知,在给定外加电压的情况 下,加 上 1000 V 的 直 流 电 压,温 度 每 改 变 1 ℃,延迟量就会相应改变1.325×10^-5π弧度,大 约为 0.002°;在 给 定 温 度 的 情 况 下,电 压 每 改 变 1V,延迟量相应改变 1.3187×10^-3π弧度,约 0.237°。总延迟量δT 可表示为

      式中:T0 为初始状态的温度;U 为外加电压。

      由图19~图 21 可 知,外 界 温 度 变 化 对电光调制器的影响很大,使得调制器的线性工作点出现偏移。我们所设计的如图18所示的电光调制驱动源作用于电光通信实验,验证了驱动源的有效性,该有效性在一定程度上保证了电光调制器的正常工作以 及激光器的稳定线性调制,且调制速率经测试提升 到了3 Mbit/s。

5 结束语

      本文系统地对目前激光器以及调制技术的主要 发展成果进行了简要总结。研究一直围绕着如何降 低非线性带来的影响,同时又可以提高光源质量以及调制速率。西安理工大学在相关领域的工作,不同程度地提高了激光器光源质量以及调制速率,非线性补偿研究还需要进一步实验验证;在调制驱 动电路方面,在室温环境下验证了 APC系统的可行性。在内调制实验和电光调制方面 还 有 待 进 一 步改进。今后进一步的研究工作包括:

(1)研 究 如 何 提 高 捕 获 跟 踪 瞄 准 (Acquisition TrackingandPointing,ATP)的 精 度,进 一 步 增 加传输距离和传输速度;

(2)研究如何完善自动控制系统,实现自适应阈值调节; 

(3)研究补偿方法时,只对无湍流和弱湍流两种信道环境下进行了补偿分析,还需对更加复杂的 信道环境验证补偿方法的有效性;

(4)验证电路性能时,探究长距离情况下系统的稳定性。

【作者】高晓梅,舒玉婷,梁静远,王慧琴,赵 黎,宋 鹏,柯熙政

【来源期刊】光通信研究

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