850nm电光强度调制器
KG-AM系列850nm铌酸锂电光强度调制器采用先进的质子交换工艺,具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点,主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生器、量子光学等领域。
性能参数:
参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
光学参数 |
||||||
工作波长 |
l |
780 |
850 |
890 |
nm |
|
插入损耗 |
IL |
|
4 |
5 |
dB |
|
光回波损耗 |
ORL |
|
|
-45 |
dB |
|
开关消光比@DC |
ER@DC |
20 |
23 |
|
dB |
|
动态消光比 |
DER |
12 |
13 |
|
dB |
|
光纤 |
输入端 |
|
PM 800 Panda fiber |
|||
输出端 |
|
PM 800 Panda fiber |
||||
光纤接口 |
|
FC/PC、FC/APC或用户指定 |
||||
电学参数 |
||||||
工作带宽(-3dB) |
S21 |
0.01~2.5、0.01~10 |
GHz |
|||
带宽波动 |
DS21 |
|
0.5 |
1 |
dB |
|
半波电压Vpi |
RF |
Vπ@50KHz |
|
3 |
3.5 |
V |
Bias |
Vπ@Bias |
|
3.5 |
4 |
V |
|
电回波损耗 |
S11 |
|
-12 |
-10 |
dB |
|
输入阻抗 |
RF |
ZRF |
50 |
W |
||
Bias |
ZBIAS |
1M |
W |
|||
电接口 |
|
SMA |
1064nm双M-Z串联强度调制器
LiNbO3强度调制器具有良好的电光效应,广泛应用于高速光通信系统、激光传感和ROF系统中。基于MZ推拉结构和X切设计的KG-AM系列具有稳定的理化性能,可应用于实验室实验和工业系统。
参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
光学参数 |
||||||
工作波长 |
l |
1064±20 |
nm |
|||
插入损耗 |
IL |
- |
6 |
8 |
dB |
|
光回波损耗 |
ORL |
-40 |
-45 |
- |
dB |
|
开关消光比@DC |
ER@DC |
48 |
50 |
- |
dB |
|
光纤 |
输入端 |
|
PM fiber 980 nm |
|||
输出端 |
|
PM fiber 980 nm |
||||
光纤接口 |
|
FC/PC、FC/APC或用户指定 |
||||
电学参数 |
||||||
工作带宽(-3dB) |
S21 |
|
6 |
- |
GHz |
|
带宽波动 |
DS21 |
- |
0.5 |
1 |
dB |
|
半波电压Vpi |
RF |
Vπ@50kHz |
- |
4.5 |
5 |
V |
Bias |
Vπ@Bias |
- |
4.5 |
5 |
V |
|
电回波损耗 |
S11 |
- |
-12 |
-10 |
dB |
|
输入阻抗 |
RF |
ZRF |
50 |
W |
||
Bias |
ZBIAS |
1 M |
W |
|||
电接口 |
|
SMA(f) |
高消光比电光强度调制器
KG-AM-HER系列高消光比电光强度调制器基于M-Z推挽结构,具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性,采用特制工艺保证了器件具有高的DC消光比,且器件具有较高的响应速率,因而被广泛的应用于光脉冲发生器、激光雷达、光纤传感等领域。
性能参数:
参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
光学参数 |
||||||
工作波长 |
l |
1525 |
|
1565 |
nm |
|
插入损耗 |
IL |
|
4 |
5 |
dB |
|
光回波损耗 |
ORL |
|
|
-45 |
dB |
|
开关消光比@DC |
ER@DC |
35 |
40 |
50 |
dB |
|
光纤 |
输入端 |
|
Panda PM |
|||
输出端 |
|
Panda PM or SMF-28 |
||||
光纤接口 |
|
FC/PC、FC/APC或用户指定 |
||||
电学参数 |
||||||
工作带宽(-3dB) |
S21 |
2.5 |
10 |
18 |
GHz |
|
半波电压Vpi |
RF |
Vπ@50KHz |
|
|
5 |
V |
Bias |
Vπ@Bias |
|
|
7 |
V |
|
电回波损耗 |
S11 |
|
-12 |
-10 |
dB |
|
输入阻抗 |
RF |
ZRF |
|
42 |
|
W |
Bias |
ZBIAS |
10000 |
|
|
W |
|
电接口 |
|
SMA(f) |