基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光通信系统、光调Q系统、量子密钥分发和光纤传感等领域。

KG-DMZM系列双级强度调制器采用高度集成级联M-Z结构，可以实现两级强度调制，获得大于50dB的开关消光比，同时具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、脉冲发生器、量子光学等领域。

KG-AM-HER系列高消光比电光强度调制器基于M-Z推挽结构，具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，采用特制工艺保证了器件具有高的DC消光比，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于光脉冲发生器、激光雷达、光纤传感等领域。

基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，KG-AM-15系列是针对1550nm波段设计的模拟电光强度调制其，2.5G\10G\20G\40G速率可选，被广泛的应用于高速光通信系统、光调Q系统、激光锁模和光纤传感等领域。

KG-AM系列850nm铌酸锂电光强度调制器采用先进的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、铯原子时间基准、脉冲发生器、量子光学等领域。

　KG-AM系列2000nm铌酸锂电光强度调制器基于MZ结构，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，带宽可达到10GHz，主要用于2µm光纤调制链路、脉冲发生器、模拟光信号调制等领域。

基于M-Z推挽结构的LiNbO3电光强度调制器具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性，且器件具有较高的响应速率，因而被广泛的应用于高速光通信系统、光调Q系统、微波光子链路和光纤传感等领域。

　　KG-AM系列1064nm铌酸锂电光强度调制器采用先进的质子交换工艺，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，主要用于空间光通信系统、脉冲发生器、量子光学等领域。