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KG-AM系列2000nm电光强度调制器
产品描述：
KG-AM系列2000nm铌酸锂电光强度调制器基于MZ结构，具有低插入损耗、高调制带宽、低半波电压等特点，带宽可达到10GHz，主要用于2µm光纤调制链路、脉冲发生器、模拟光信号调制等领域。
产品特点：
低插入损耗
高调制带宽
低半波电压
高稳定性
应用领域:
水分子探测
气体探测
中红外光波发生器
种子光源
性能参数：
|
参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
|
光学参数 |
||||||
|
工作波长 |
l |
1900 |
2050 |
2200 |
nm |
|
|
插入损耗 |
IL |
- |
4 |
|
dB |
|
|
光回波损耗 |
ORL |
-40 |
-45 |
- |
dB |
|
|
开关消光比@DC |
ER@DC |
20 |
22 |
- |
dB |
|
|
动态消光比 |
DER |
12 |
13 |
- |
dB |
|
|
光纤 |
输入端 |
|
Nufern PM1950 |
|||
|
输出端 |
|
Nufern PM1950 |
||||
|
光纤接口 |
|
FC/PC、FC/APC或用户指定 |
||||
|
电学参数 |
||||||
|
工作带宽（-3dB） |
S21 |
1 |
|
12 |
GHz |
|
|
带宽抖动 |
∆ S21 |
- |
0.5 |
1 |
dB |
|
|
半波电压Vpi |
RF |
Vπ@50KHz |
- |
5.5 |
6.0 |
V |
|
Bias |
Vπ@Bias |
- |
10.5 |
12 |
V |
|
|
电回波损耗 |
S11 |
- |
-12 |
-10 |
dB |
|
|
输入阻抗 |
RF |
ZRF |
- |
40 |
- |
W |
|
Bias |
ZBIAS |
- |
1 |
- |
MW |
|
|
电接口 |
|
K(f) |
||||
极限条件：
|
参数 |
符号 |
单位 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
输入光功率 |
Pin,Max |
dBm |
|
|
20 |
|
RF端输入功率 |
|
dBm |
|
|
28 |
|
Bias端偏置电压 |
Vbias |
V |
-20 |
|
20 |
|
工作温度 |
Top |
ºC |
0 |
|
70 |
|
储存温度 |
Tst |
ºC |
-40 |
|
85 |
|
湿度 |
RH |
% |
5 |
|
90 |
封装尺寸：
特性曲线：
订货信息：
|
KG |
AM |
20 |
XX |
XX |
XX |
|
|
调制器类型： AM---强度调制器 |
工作波长： 20---2000nm |
工作带宽： 举例： 1G---1GHz 10G---10GHz |
输入输出光纤： PS---PM/SMF PP---PM/PMF
|
接头： FA---FC/APC FP---FC/PC SP---用户指定 |
如有特殊需求，请联系我们销售人员
