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KG-TFLN-20G系列薄膜铌酸锂电光强度调制器
KG-TFLN-20G系列薄膜铌酸锂电光强度调制器基于薄膜铌酸锂波导工艺和M-Z推挽结构， 具有较低的半波电压和较高 的工作带宽，偏置 (DC) 端采用热调方式，可以很大程度上减少温漂， 在任意工作点下长时间工作稳定。 与体调制器相比，其体积更小、 功耗更低、稳定性更好。
产品特点
消光比＞25dB (典型值30dB)
高稳定性
高调制带宽
低半波电压
应用领域
微波光子
高速光通信
量子通信
性能参数
|
参数 |
符号 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
单位 |
|
|
光学参数 |
||||||
|
工作波长 |
入 |
1525 |
|
1565 |
nm |
|
|
插入损耗 |
IL |
|
4.5 |
5.5 |
dB |
|
|
光回波损耗 |
ORL |
|
|
-25 |
dB |
|
|
开关消光比@DC |
ER@DC |
25 |
30 |
|
dB |
|
|
光纤 |
输入端 |
|
Panda PM1550 |
|||
|
输出端 |
|
Panda PM1550 |
||||
|
光纤接口 |
|
FC/PC 、FC/APC 或用户指定 |
||||
|
电学参数 |
||||||
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工作带宽(-3dB) |
S21 |
20 |
25 |
|
GHz |
|
|
RF 半波电压Vpi |
Vπ@1GHz |
|
|
3.5 |
V |
|
|
偏置端半波功率Ppi |
Pπ@Bias |
|
45 |
50 |
mW |
|
|
偏置端输入电压最大值 |
|
|
|
8 |
V |
|
|
电回波损耗 |
S11 |
|
- 12 |
- 10 |
dB |
|
|
RF 输入阻抗 |
ZRF |
|
50 |
|
|
|
|
电接口 |
|
2.92mm femal |
||||
极限条件
|
参数 |
符号 |
单位 |
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|
输入光功率@1550nm |
Pin,Max |
dBm |
|
|
20 |
|
RF 端输入功率 |
|
dBm |
|
|
23 |
|
Bias 端偏置电压 |
Vbias |
V |
0 |
|
8 |
|
工作温度 |
Top |
ºC |
- 10 |
|
60 |
|
储存温度 |
Tst |
ºC |
-40 |
|
85 |
|
湿度 |
RH |
% |
5 |
|
90 |
特性曲线
S11&S21 曲线
封装尺寸（mm）
订货信息
|
KG |
TFLN |
XX |
XX |
XX |
|
|
工作带宽： 20G---20GHz |
输入输出光纤： PP---PMF-PMF |
接头： FA---FC/APC FP---FC/PC SP---用户指定 |
*如有特殊要求请联系我公司销售人员
