KG-AM-HER系列 高消光比电光强度调制器
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KG-AM-HER系列高消光比电光强度调制器基于M-Z推挽结构,具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性,采用特制工艺保证了器件具有高的DC消光比,且器件具有较高的响应速率,因而被广泛的应用于光脉冲发生器、激光雷达、光纤传感等领域。
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KG-AM-HER系列 高消光比电光强度调制器


产品描述:


KG-AM-HER系列高消光比电光强度调制器基于M-Z推挽结构,具有较低的半波电压和稳定的物理化学特性,采用特制工艺保证了器件具有高的DC消光比,且器件具有较高的响应速率,因而被广泛的应用于光脉冲发生器、激光雷达、光纤传感等领域。


产品特点:

消光比大于40dB

    低插入损耗

    高调制带宽

  低半波电压


应用领域:     


    光脉冲发生器

  布里渊传感系统

  激光雷达


性能参数:

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

光学参数

工作波长

l

1525

1565

nm

插入损耗

IL

4

5

dB

光回波损耗

ORL

-45

dB

开关消光比@DC

ER@DC

35

40

50

dB

光纤

输入端

Panda PM

输出端

Panda PM or  SMF-28

光纤接口

FC/PCFC/APC或用户指定

电学参数

工作带宽(-3dB

S21

2.5

10

18

GHz

半波电压Vpi

RF

Vπ@50KHz

5

V

Bias

Vπ@Bias

7

V

电回波损耗

S11

-12

-10

dB

输入阻抗

RF

ZRF

50

W

Bias

ZBIAS

10000

W

电接口

SMA(f)


极限条件:

 参数

符号

单位

最小值

典型值

最大值

输入光功率

Pin,Max

dBm

23

RF端输入功率

dBm

27

Bias端偏置电压

Vbias

V

-15

15

工作温度

Top

ºC

-10

60

储存温度

Tst

ºC

-40

85

湿度

RH

%

5

90


封装尺寸:

 

                      1GND

                      2BIAS

                      34N/C




特性曲线:

强度调制器特性曲线


订货信息:

KG

AM

HER

XX

XX

XX

XX

强度调制器

高消光比

工作波长:

15---1550nm

工作带宽:

10---10GHz

20---18GHz

输入输出光纤:

PS---PM/SMF

PS---PM/PMF

接头:

FA---FC/APC

FP---FC/PC

SP---用户指定

如有特殊需求,请联系我们销售人员

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