近日，合肥工业大学微电子学院先进半导体器件与光电集成实验室的王莉副教授和罗林保教授，成功研发出一种基于单p-型硅肖特基结的超灵敏近红外窄带光电探测器。相关成果以“Ultra-Sensitive Narrow-Band P-Si Schottky Photodetector with Good Wavelength Selectivity and Low Driving Voltage”为题于2023年12月31日作为封面文章在线发表在半导体器件领域的著名杂志IEEE Electron Device Letters上。

KG-PR-可调增益光电探测器是一款带放大、增益可调的硅(si)探测器，用于检测320nm至1100nm和900nm至1700nm的光信号。具有一个8档旋转开关，允许用户在以10dB的步进改变增益。缓冲器能够驱动高阻负载输出高达10 V 。在50Ω负载下输出5V。KG-PR-11M-B外壳包括一个可拆卸螺纹连接器(SM1T1)和固定环(SM1RR)，可通过内街螺纹或外接螺纹与相同规格的光学配件兼容。

在掺铒光纤中注入足够强的泵浦光，就可以将大部分处于基态的Er3+离子抽运到激发态，处于激发态的Er3+离子又迅速无辐射地转移到亚稳态。由于Er3+离子在亚稳态能级上寿命较长，因此很容易在亚稳态与基态之间形成粒子数反转。当信号光子通过掺铒光纤时，与处于亚稳态的Er3+离子相互作用发生受激辐射效应，产生大量与自身完全相同的光子，这时通过掺铒光纤传输的信号光子迅速增多，产生信号放大作用。Er3+离子处于亚稳态时，除了发生受激辐射和受激吸收以外，还要产生自发辐射（ASE），它造成EDFA的噪声。

近日，首款国产化 110GHz 电光强度调制器产品在国家信息光电子创新中心（NOEIC）研制成功，并获多家产业客户验证和订购。该调制器以国产薄膜铌酸锂芯片为核心，可在 C 和 L 波段工作，具有超高带宽、超高速率、低啁啾、低驱动电压、高线性度等特性，其 3dB 带宽高达 110GHz，是我国首款带宽突破 110GHz 的电光调制器产品，关键技术指标达到国际先进水平，将广泛应用于光通信、光互连、光计算、光电测试测量、微波光子等宽带光电子信息系统。

信号传输的光模块需要更高的调制速率以及更宽的工作温度范围。目前，国内外针对多量子阱DFB直调激光器的研究已经取得很多成果，但是针对张应变多量子阱DFB激光器的研究比较少。本文采用AlGaInAs InP多量子阱材料体系，有源层引入多量子阱张应变，设计并制备了脊波导结构的激光器芯片。设计激光器波长失谐量、优化芯片腔长，实现DFB激光器在宽温度范围内工作，提高了小信号频率响应带宽f3dB，且在宽温度范围内f3dB的变化率较小。

据国家知识产权局公告，​华为技术有限公司申请一项名为“一种电光调制器和相关设备“，公开号CN117170122A，申请日期为2022年5月。专利摘要显示，本申请实施例公开了一种电光调制器和相关设备，用于实现良好的阻抗匹配，从而抑制正负电极之间的串扰，提升电光调制的效率和带宽。本申请实施例提供的电光调制器包括：传输线，包括正电极和负电极；正电极的一端连接信号输入端，另一端通过第一匹配电阻连接目标电阻；负电极的一端连接信号输入端，另一端通过第二匹配电阻连接目标电阻；第一匹配电阻和第二匹配电阻用于匹配传输线的奇模特征阻抗。

三棱镜实验中，太阳光（也就是复合光）从空气进入玻璃中，再由玻璃进入空气，发生了两次折射。要知道，万物皆有趋利性，折射发生时，光也会自然而然的选择最短的路径，在尽量减少能量损耗的情况下前进。从上面牛顿的三棱镜实验中，我们知道复合光本质上是由很多不同颜色的单一光组成的，这些光具备不同的波长，不同波长的光的能量大小是有悬殊的。

红外光电探测器广泛应用于气体传感、气象遥感以及航天探测等领域。然而目前，传统的红外探测材料主要基于碲化铟、铟镓砷、碲镉汞等，需要分子束外延方法生长，以及倒装键和等复杂工艺与读出电路耦合。虽然探测性能高，但是却受限于成本与产量。

在高光谱成像中，对宽带光电探测的要求，变得极其苛刻。虽然基于碲镉汞mercury cadmium telluride的本征光电导体阵列，代表了最灵敏和最合适的技术，但却具有窄的光谱范围和尖锐的吸收边缘，这将其操作限制在<25μm。