铌酸锂调制应用实例-载波抑制单边带产生    

  铌酸锂电光调制器利用铌酸锂晶体的电光效应和集成光学工艺制作而成，具有高响应速度(~100GHz)、低半波电压(小于5V)、体积小等优点，可以实现高速数字信号及模拟信号调制，广泛应用在高速光通信、微波光子、光纤传感、量子通信等领域。

  利用铌酸锂IQ调制器产生载波抑制单边带是微波光子领域最常见的技术手段。抑制载波的光学单边带技术不仅可以有效抑制高阶非线性效应和色散，提高ROF链路性能，而且在高频微波信号产生中有重要应用。下面我们一起来介绍一下载波抑制单边带产生原理和技术。

  1、IQ调制器

  IQ调制器由3个马赫曾德(MZ)干涉仪组成：母MZ和两个子MZ，提供两个RF输入端口(图中1-2)和3对偏置控制端口(图中3-8)。

  2、载波抑制单边带产生原理

  其中J0项为载波，J-1为边带，从公式中可以看出，只要调节母MZ偏置点电压即可将载波项消除，实现载波抑制单边带。

  3、试验测试

  利用康冠光电载波抑制单边带调制仪进行了测试。KG-AMBox-SSB-1550系列抑制载波单边带调制单元是康冠光电拥有自主知识产权的高度集成化产品，该仪器单元将DFB激光器、Mach-Zehnder双平行调制器、偏压控制器、射频驱动器、移相器等必要部件集成于一体，通过驱动电路和程序控制实现抑制载波单边带的产生，这不但方便了用户的使用，而且大大提高了MZ强度调制器的可靠性。系统原理图如下：

产品实物图如下：

  测试激光器中心波长为1550.1nm，RF信号为10GHz.

  可以看出载波与右边带抑制比为23Db,左边带与右边带抑制比为29dB，抑制效果明显。