硅基光电子技术采用与硅基集成电路技术兼容的技术和方法，将微纳光电子器件集成在同一硅衬底上，从而实现“低成本、紧凑、低能耗的”集成信息系统，该方法被认为是下一代半导体芯片的关键技术。硅基电光调制器作为集成光电子芯片中的核心器件之一，需要新型调制技术来适应不同的应用场景。而混合集成的硅基石墨烯电光调制因具有“小尺寸、高效率、低功耗、低成本”的优点在研究中备受青睐。

利用量子限域效应，半导体胶体量子点（CQDs）因其优异的光电性能而日益受到人们的关注，被广泛应用到发光二极管（LED）、激光器、太阳能电池和光电探测器等光电器件中，大大提高了器件的光电性能。硫化铅（PbS）量子点由于其易于溶液处理、大面积器件制备、成本低、机械柔韧性强、激子玻尔半径大（~18nm）等优点，在光电器件中得到广泛的应用。

  近日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所纳米材料与器件技术研究部研究员李广海课题组研究员李亮与香港理工大学应用物理系教授严锋合作，在二维材料光电探测领域取得新进展，研制出基于层状三元碲化物InSiTe3的光电探测器。该光电探测器具有超快的光响应（545-576 ns）以及从紫外到近红外（UV-NIR）光通信区域的宽带探测能力（365-1310 nm）。相关研究成果发表在ACS Nano上。

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单频窄线宽光纤激光器采用独特的掺稀土光纤DFB激光腔结构，输出光谱波长1550nm，线宽小于3kHz，输出光谱边模抑制比超过50dB，可提供模块或台式封装。